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ICP-RIE(NE-550SP) 장비셋업

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ICP-RIE(NE-550SP) System Setup

  • 모델명 NE-5500SP
  • 제조사 대동하이텍
  • 장비용도 시험
  • 장비구분 기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 식각장비

상세정보

구축일자 2012-11-23
납품업체 대동하이텍
위치 광주광역시 북구 첨단과기로 123 (오룡동) 1 광주과학기술원 신재생에너지연구소 F1 101
구성및성능 규격(성능 및 사양) :
1. GaN etch rate : ≥ 1 um/min ± 0.2 um/min.
2. GaN etch profile : 85o ± 1o
3. GaN etching Uniformity (4 inch )
① In same wafer: Less than 1.0 %
② Wafer to wafer: Less than 1.0 %
4. Aspect ratio of GaN : More than 7 : 1
5. Roughness of GaN film (rms) : ≤ 100 nm
6. Sapphire etching uniformity (4 inch ) : 1.0 ≤ ± 0.5 %
7. Sapphire etch rate : ≥ 1 um/min ± 0.2 um/min.
8. Sapphire etch profile : Within 80°±1°
9. 기타 보증항목 : Blue LED process 검증
( Chip Size: 300x300 um Lateral LED process검증)
( one process : 2 inch x 8 wafer or 4 inch x 3 wafer )
장비안내 본 NE-550SP process장비는 GaN 기반 LED 공정에서 식각 공정을 진행하기 위한 장비로써 기본적으로 GaN박막의 식각 외에 Sapphire 기판의 PSS (Patterned Sapphire Substrate) 제작 공정이 포함됨.
GaN 박막의 식각 공정은 GaN 기반 LED제작에서 n-전극 형성과정에서 필수적인 공정으로 Etching profile에 따라서 LED의 제작 수율이 결정되며 시각 공정 과정에서 발생하는 Defect에 의해서 leakage Current가 발생할 수 있음.
따라서 우수한 etching profile과 시각 공정 중 defect의 발생을 일으키는 plasma damage의 발생을 억제하는 공정이 매우 중요함.

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