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공동활용 연구장비

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PECVD(SLR730) 장비셋업

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PECVD(SLR730) System Setup

  • 모델명 SLR-730
  • 제조사 OERLIKON
  • 장비용도 시험
  • 장비구분 기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 플라즈마기상화학증착장비

상세정보

구축일자 2012-11-23
납품업체 OERLIKON
위치 광주광역시 북구 첨단과기로 123 (오룡동) 1 광주과학기술원 신재생에너지연구소 F1 101
구성및성능 1. SiO2 deposition rate : ≥ 100 nm/min.
2. SiO2 deposition uniformity
① 4 inch x 4 wafer ( one process )
② ≤ 1.5% ± 0.2 %
3. 기타 보증항목
: insulator 특성 ≥ 10 kV
4. Si3N4 deposition rate : ≥ 100 nm/min.
5. Si3N4 deposition uniformity
① 4 inch x 4 wafer ( one process )
② ≤ 1.5% ± 0.2 %
6. 기타 보증항목
: insulator 특성 ≥ 10 kV
7. LED chip 제작 공정 적용 검증
: leakage current : ≤ 1.0 uA @ -5V ( 2 inch x 8 wafer or 4 inch x 3 wafer )
장비안내 SLR-730 System은 PECVD장비로써 GaN기반 LED제작 과정에서 leakage current가 etching된 표면을 따라 흐르는 것을 막기 위한 passivation layer로 사용되는 절연물질로 SiO2와 Si3N4를 증착하는 것을 목적으로 하는 LED Chip 제조 과정에 사용되는 공정장비임.
또한 LED chip과 chip의 절연공정과 n-전극과 p-전극의 절열층으로 사용됨. 특히 최근 PECVD로 증착되는 SiO2와 Si3N4는 굴절율의 차이를 이용하여 광추출구조에 적용할 수 있으며 CBL (Current Block Layer) 물질로도 사용되고 있을만큼 LED Chip제작 공정 중 다양한 분야에 활용되는 절연막 증착에 사용되는 장비임.