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공동활용 연구장비

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플라즈마를 이용한 그래핀 성장 공정장치

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Plasma Enhanced CVD System for graphene

  • 모델명 SN11-G080
  • 제조사 에스엔텍
  • 장비용도 시험
  • 장비구분 기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 플라즈마기상화학증착장비

상세정보

구축일자 2012-06-21
납품업체 에스엔텍
위치 광주광역시 북구 첨단과기로 123 (오룡동) 1 광주과학기술원 금호관 F2 204호
구성및성능 PECVD chamber
- Load Lock chamber
- Maximum substrate temperature: 1000℃
- RF plasma source(13.56Mhz power supply)
- PLC-control system
- Wafer capacity: 6inch waferx1
- Dimension : 1000 mm(W) × 950 mm(H) × 650 mm(L)
장비안내 촉매금속 표면에 그래핀을 성장시킬 때 필요한 플라즈마 화학기상 증착장비

플라즈마를 사용시 기존의 열적 그래핀 성장 공정보다 낮은 온도에서 고 성능의 그래핀을 성장 할 수 있음

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