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공동활용 연구장비

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ICP-RIE 에칭 장비

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MINIPLASMA station(ICP-RIE)

  • 모델명 MINIPLASMA station(ICP-RIE)
  • 제조사 플라즈마트(Plasmart)
  • 장비용도 분석
  • 장비구분 기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 식각장비

상세정보

구축일자 2009-07-31
납품업체 플라즈마트(Plasmart)
위치 광주광역시 북구 첨단과기로 123 (오룡동) 1 광주과학기술원 금호관 F2 204
구성및성능 구성및성능
- 금속 에칭 및 고유전율 산화물 에칭을 위한 BCl3Cl2Ar gas를 포함한 ICP-RIE 에칭장비
- Chamber
1. Process chamber : anodized aluminum
2. ICP source (Top plasma source :ICP 1kW@13.56MHz)3. ICP source (Bottom plasma source:CCP 600W@13.56MHz)
4. Substrate : 6 inch wafer
- water cooling
- Vacuum
1. Vacuum pump :　oil rotary pump + TMP
2. Gauge :　CDG 1Torr / cold cathode gauge / ATM sensor
- Gas : BCl3 Cl2 Ar
장비안내 특징
상기장비는 나노소자에서 금속 전극의 에칭 및 HfO2등의 고유전율 산화물 에칭을 주용도로 한다. 나노소자의 금속전극은 그 크기가 100nm급의 패턴에서의 etching으로 Al W TiN등의 금속 에칭이 요구 된다. 또한 산화물전계트랜지스터 (MOSFET)의 게이트와 저항변화 소자로 사용되는 HfO2 TiO2등의 고유전율 산화물의 에칭을 위해 사용된다. 위 에칭은 크기(100nm)나 두께(수 nm)등의 고정밀 etching이 요구 된다.

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