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공동활용 연구장비

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마스크 얼라이너

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Mask Aligner

  • 모델명 MDA-600S
  • 제조사 마이다스시스템(주)
  • 장비용도 분석
  • 장비구분 기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 리소그래픽장비

상세정보

구축일자 2025-02-10
납품업체 마이다스시스템(주)
위치 광주광역시 북구 용봉로 77 전남대학교 공과대학 1호관 A동 F1층 104호
구성및성능 1) Semi auto Mask aligner system
- 시스템 방식: 반자동화 시스템 또는 동등 성능 이상
- 샘플크기 : piece ~ 6 inch wafer 또는 동등 성능 이상
- 마스크 홀더 : multi ~ 7×7 inch mask 또는 동등 성능 이상
- UV 노광 파워 : 350W 또는 동등 성능 이상
- CCD 카메라를 이용한 양면 정렬 모듈 또는 동등 성능 이상
- 얼라인먼트 정확도 : < ±1.5㎛ 또는 동등 성능 이상

2) 노광 모듈
- 램프 타입 : 350W 수은등 램프 또는 동등 성능 이상
- 파장대 : 350 ~ 450nm 또는 동등 성능 이상
- 노광 세기: 최대 25mW/cm2 또는 동등 성능 이상
- 빔 균일도 : < ±3% 또는 동등 성능 이상 - 최대 빔 사이즈 : 6.25 inch × 6.25 inch 또는 동등 성능 이상

3) 현미경 모듈
- 이중 CCD 줌 마이크로스코프 또는 동등 성능 이상
- 이동거리 : Y Axis ±10mm 또는 동등 성능 이상
- 작동거리 : 86mm / 32mm(2x 렌즈 장착 시) 또는 동등 성능 이상
- 물체와의 거리 : 50~150mm 또는 동등 성능 이상
- 배율 : 85x ~ 540x 또는 동등 성능 이상

4) 얼라인 스테이지 & 조작부
- 노광시간(설정가능) : 0.1~999.9시간 또는 동등 성능 이상
- 컨택 방법 : Vaccum, Hard, Soft Contact. Vacuum & Hard contact
또는 동등 성능 이상
- 미세패턴 구현 해상도
*진공 컨택 : 1㎛ < Thin PR (Thickness 1㎛ @ Full size Si Wafer)
*하드 컨택 : 2㎛ < Thin PR (Thickness 1㎛ @ Full size Si Wafer)
*소프트 컨택 : 3㎛ < Thin PR (Thickness 1㎛ @ Full size Si Wafer)
*20㎛ Proximity : 5㎛ 또는 동등 성능 이상
- 스테이지 이동 : X,Y축(5mm), Theta(4도), Z축(15mm) 또는 동등 성능
이상
- 스테이지 분해능 : X,Y,Z축(0.1㎛), Theta: 5 x 10-5 도 또는 동등 성능 이상
- Z축 얼라인먼트 갭 : 0~100㎛ 또는 동등 성능 이상

5) 소프트웨어
- 프로그램 : M-viewer 또는 동등 성능 이상
- 기본 동작 설정 : Mask holder lock, wedge lock, sample vacuum,
N2 purge (High/low 조절) 또는 동등 성능 이상
- 포지션 이동 제어 : Sample loading, align, exposure 위치 이동 또는 동등 성능 이상
- Contact type 선택 (Contact type) : Vacuum, hard 또는 동등 성능 이상
- 노광시간 설정 : lim.0 ~ 6,000sec 또는 동등 성능 이상
장비안내 <특 징>
- 백사이드 정렬 기능을 통한 후면 패턴의 정밀한 노광 기능
- Piece ~ 6인치 웨이퍼 대응 노광 가능
- 365nm i-line뿐만 아니라 필터 적용으로 g-line, h-line 및 필터 제거 시 Broadband 노광 기능 제공
- 수동-반자동-자동 형태의 노광 공정 전환 가능
- 마스크와 시편의 정렬 오차가 1를 넘지 않음
- PC에 설치된 전용 프로그램을 사용해야 하며, 상시 원격 서비스 기능 제공
- 방진테이블 일체형으로 공간 효율성 증대 및 방진 기능 강화

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