Research Hub

대학 자원

대학 인프라와 자원을 공유해 공동 연구와 기술 활용을 지원합니다.

공동활용 연구장비

20150226000000186744.jpg

산화물 전용 스퍼터

상담·문의하기

Oxide Sputtering System

  • 모델명 모델명 없음
  • 제조사 에스엔텍
  • 장비용도 교육
  • 장비구분 기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 스퍼터

상세정보

구축일자 2015-02-25
납품업체 에스엔텍
위치 광주광역시 북구 용봉로 77 (용봉동) (용봉동) 전남대학교 용봉캠퍼스 산학협력공학관 B1층 B001호
구성및성능 구성
1. Process Chamber -Material : Stainless Steel -Shape : Circulator Shape -Water Wall Cooling -Lift Up Unit using Gas Cylinder for Maintenance of Chamber -Inner Shield Cover -Various Functional Port ？View Port, Gauge Port, Vent Port, Pumping Port, Spare Port
2. Pumping System -Low Vacuum : Rotary Pump -High Vacuum : Turbo Molecular Pump
4. Main System Controller -PLC Based Touch Panel ？ Full Auto Type -Safety for System & Human - Interlock

성능
1. Substrate Capacity -Size : Max 6 inch (Circular Type) -Quantity : 1 Substrate
2. Degree of Vacuum -Ultimate Pressure : 1×10-7 Torr ？Within 6 Hour (After Vent)
3. Uniformity -Thickness Uniformity : ≤ ± 1% @ 100nm / 6 inch ？Deposition Materials : ITO, Cr, Mo ？[(Max-Min)/(Max+Min)] x 100 ？Effective Area : 6 inch Wafer 전체, 9 point -Heating Uniformity : ≤ ± 1% @ 500°C / 6 inch ？[(Max-Min)/(Max+Min)] x 100 ？Effective Area : 6 inch Wafer 전체, 9 point
4. Max. Temperature -Max. 1,000°C (On Substrate) ？Within 5 Minute (After R.T) ？Measurement : T.C ？Effective Area : 6 inch Wafer 전체
5. ITO Sheet Resistance -12 Ω/□ (@100nm)
6. ITO Transmittance -≥93% @ 550nm (@100nm)
7. Sample 증착 시 Sample Holder 에 의한 간섭 없이 전체를 균일 한 증착 조건에서 사용 할 수 있다.
장비안내 산화물 반도체 박막의 성장을 위한 멀티타깃 스퍼터링 시스템으로써, 산화물 반도체 및 전도성 투명전극에 대한 증착 및 관련 소자 제작용으로 사용된다. 본 장비는 박막물질의 기판에 운동에너지를 가하여 물리적으로 분리시켜 다른 기판에 증착시킨다.
● 본 장비는 6inch 크기의 기판 상에 산화물 막을 수nm ~ 10㎛ 두께로 증착하는 데 이용될 수 있다.
● Total System은 Process Chamber와 Main System Controller 부분이이 분리형으로 구성되어 있다.
● Main system에는 chamber, gas system과 pumping system으로 구성되어 있다.
● Main chamber에는 웨이퍼 크기 6"를 장착 가능하도록 되어있고, 기판 가열용 히터 1개가 하부에 부착되어 있으며, 4인치 Gun 3개가 상부에 부착되어 있어 3개의 타겟을 동시에 부착 할 수 있도록 설계되어 있다.
● 기판의 온도를 최대 1000℃까지 제어 가능하도록 가열용 heater가 부착되어 있고, 이는 PID 제어가 가능하다.
● 고순도의 ITO, AZO, Cu2O 등의 산화막을 넓은 범위에서 증착이 가능하다.
● Pumping system은 turbo molecular pump 및 rotary pump로 구성되며, pneumatic gate valve 및 pneumatic angle valve를 이용하여 자동으로 작동된다.
● 펌핑 스피드는 최저 진공도가 6시간 이내에 ≤ 1 × 10-7 Torr에 도달된다.
● Chamber 내 압력은 throttle valve 및 mass flow controller(MFC)를 이용해 자동으로 조절된다.
● 제어랙은 main frame에 분리형으로 구성되어 있으며, 기기 조작의 제어부와 제어상태를 표시해주는 표시부 그리고 RF파워소스, mass flow controller, 진공압력 guage controller 및 자동압력조절기(Auto Pressure Controller) 로 구성되어 있다.

목록보기