| 구성및성능 |
2. 규격(성능 및 사양) :
1. Number of module slot : 10EA
2. 15-Inch touch screen supports all capabillties of the intuitive GUI for convenient
device characterization
3. GPIB, USBLAN interfaces, and VGA video output port
4. Ground unit(GNDU) specification
5. Maximum sink current : ±4.2A
6. Output voltage : 0V ±100uV
7. Suppot SMU : Medium Power (MPSMU), High Resolution (HRSMU), High Power (HPSMU)
Medium Current (MCSMU), Waveform Generator/Fast Measurement Unit (WGFMU), High Voltage pulse Generator Unit(HV-SPGU)
8. High Resolution Source Measure Unit (HRSMU 4EA) Specification
- 최대 ±100V/±100mA 범위의 4-사분면 동작 모듈
- 전압공급범위 : ±0.5V, ±2V, ±5V, ±20V, ±40V, ±100V
- 전압측정분해능 : 0.5uV, 2uV, 5uV, 20uV, 40uV, 100uV
- 전압측정정확도 : ±(0.018%+150uV), ±(0.018%+400uV), ±(0.018%+750uV), ±(0.018%+3mV)
±(0.018%+6mV), ±(0.018%+15mV)
- 전류공급번위 : ±10pA, 100pA, ±1nA, ±10nA, ±100nA, ±1uA, ±10uA. ±100uA,
±1mA, ±10mA, ±100mA
- 전류측정분해능 : 400aA, 500aA, 10fA, 100fA, 1pA, 10pA, 100pA, 1nA, 10nA, 100nA
- 전류측정정확도 : ±(0.46%+15fA+10aA x Vo), ±(0.3%+30fA+100aA x Vo),
±(0.1%+200fA+1fA x Vo), ±(0.1%+1pA+10fA x Vo),
±(0.05%+20pA+100fA x Vo), ±(0.05%+100pA+1pA x Vo),
±(0.04%+2nA+10pA x Vo), ±(0.03%+3nA+100pA x Vo),
±(0.03%+60nA+1nA x Vo), ±(0.03%+200nA+10nA x Vo),
±(0.04%+6uA+100nA x Vo)
9. Narrowed Plused Measure Solution
- Pulse Isolation Probe Holder
- Puls width 10ns
- X/y/z Travel 15mm, Resolution : 1um
- Solution Kit : PH_C16 Pulsed
- Puls Isolation Probe Holder
- Puls SSMC(f) to SSMC(f) Cable, 13cm (1ea)_GND
- Puls SSMC(f) to SMA(m) Cabl
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| 장비안내 |
반도체의 Wafer 상태 및 Device 상태에서의 전기적 물성을 측정하는 고정밀급 반도체용 계측장비로서 반도체의 동작 전압측정, 동작 전류측정, 누설 전류측정, 브레이크다운 전압측정, 전도도 및 저항측정, 디바이스 수명예측, Hot Carrier Test 등 다양한 파라미터를 측정 할 수 있습니다. 관련 어플리케이션으로는 TR(트랜지스터), TFT, FET, LED, OLED, Memory(램, 시냅스, 뉴로모픽, 멤리스터) 등 다양한 Low Level Measurement와 인공 시냅스의 생체유사 특성 및 짧은 시간(ns~us) 동안의 전압 펄스 인가와 이에 따른 미세한 전도도 변화 측정(100aA) 연구가 가능 하며, 파라미터 아날라이저 I-V ,C-V초고속 펄스 I-V WGFMU 연결 가능 하다.
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