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공동활용 연구장비

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원자층 증착기

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Atomic Layer Deposition

  • 모델명 Automic Classic
  • 제조사 (주)씨엔원
  • 장비용도 기타
  • 장비구분 기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 원자층증착장비

상세정보

구축일자 2022-05-27
납품업체 (주)씨엔원
위치 광주광역시 북구 첨단과기로 123 광주과학기술원　 A동 F1층 104호
구성및성능 Target Layer: SiO2, TiO2, HfO2

- Substrate Size : 4 ~ 8” Standard (Wafer)
- Thermal ALD Process
- Laminar Gas Flow (Side Gas Flow)
- Gas Delivery System : Bubbler, LDS etc.
- Low Particle Generation
- Small Volume for Process
- Available Laminated & Mixed Process
- Easy User Interface & Maintenance
- Max Temperature : 450 ℃ (@ Wafer)
- No. of Precursor Canisters : Up to 4 Sets (Standard)
- Uniform Gas-flow to make high quality layer with low defects
사양
1-1 Process Module
- 6’‘ Traveling Wave Type Thermal ALD Chamber
- Chamber Material : SUS304
- Max Process Temperature : 450℃
- Chamber Wall Temperature : 150℃
- Source Delivery: 4 Sets
: 3 Sets 150℃ Canister with Carrier Gas
: 1 Set Room Temperature Canister
- Reactant : H2O Canister
- Purge and Carrier Gas : N2
- Hot Trap
장비안내 ALD는 박막의 원료가 되는 전구체(precursor)와 반응물을 진공상태의 기판 표면에 번갈아 가며 노출시키면서 매 사이클마다 원자층 두께 수준의 극초박막을 쌓아 올릴 수 있는 기술로, 자기제한적(self-limiting) 표면화학 반응에 의하여 일어남에 따라 증착되는 물질의 두께를 미세하게 조절 가능할 뿐 아니라 고품질의 박막을 균일하게 도포할 수 있는 등의 장점을 가지고 있다

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