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공동활용 연구장비

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전자빔 증발기

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E beam evaporator

  • 모델명 Solar-Bridge
  • 제조사 대동하이텍
  • 장비용도 계측
  • 장비구분 기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 열증착기

상세정보

구축일자 2021-01-28
납품업체 대동하이텍
위치 광주광역시 북구 첨단과기로 123 광주과학기술원 전기전자컴퓨터공학부 A동 F1층 108호
구성및성능 ① 성능
. Process chamber base pressure : ≤ 5 x 10-8 Torr
(Within 12 Hours (After chamber vent))
. Process chamber pumping speed : ≤ 10-7 Torr (Within 30 Min (After chamber vent))
. Film thickness uniformity : Au, Pt, Ni, Cr, Al, NiO (Total 6 material)
ⓐ ≤ 2% (±1%) (Within 6“ x 6“ sample, exclude edge 1.5mm 제외)
ⓑ ≤ 5% (±2.5%) (Within 10“ x 10“ sample, exclude edge 1.5mm)
. Repeatability : Pt, Al, NiO 에 대해 각각 0.5㎛ 증착기준
ⓐ ≤ 2% (±1%) (Within 6“ x 6“ sample, exclude edge 1.5mm)
ⓑ ≤ 5% (±2.5%) (Within 10“ x 10“ sample, exclude edge 1.5mm)
. Heating Uniformity : ≤ ± 3℃ (6“ X 6” sample at 950℃, exclude edge 1.5mm)
. Heater ramp–up speed : ≥ 95℃/Sec (Temperature overshooting : ≤ 3℃)

② 사양
. Process chamber & loadlock system
. Cryo or turbo pump & Dry or rotary pump
. Substrate size : 6 inch x 6 inch & 10 inch x 10 inch compatible
. 6 Pocket 15cc (270° Deflection type)
. Deposition material : Al, Ti, Au, Ag, Ni, Cr, Pt, NiO, Pd, etc metal
. Deposition rate resolution : 0.1 Å/sec (0.02 Å/sec at manual deposition)
. Substrate heating : Max 950℃
. Fully auto process type
. System all parameter data storage function (Minimum 1 year)
. System all safety interlock
장비안내 반도체 칩은 나노미터(nm) 수준의 매우 얇고 미세한 수많은 층으로 이루어져 있으며, 실리콘(Si)
과 같은 반도체 위에 회로간의 구분 및 연결을 위해 박막(ThinFilm)을 입히고 다양한 회로를
그려넣는 수많은 공정과정을 거침. 이러한 박막을 입힐 때 사용되는 증착(Deposition)공정
에서는 두께가 얇고 균일한 박막을 형성하기 위해 매우 정교하고 세밀한 기술력이 필요하며,
반도체의 전기적 특성을 부여하기 위해서는 위 과정이 필수적임. 전자빔 증발기는 높은 진공
상태에서 전자빔으로 금속을 녹여 소자 전면부에 증착하는 방법을 이용하는 장비임. 전자석에
의한 자기장으로 hot filament에 전류를 공급하여 나오는 전자빔을 금속에 위치시킴. 이후,
집중적인 전자의 충돌로 금속이 가열되고, 증발된 금속은 소자의 전면부에 응축되어 증착됨.
이는 빠른 증착 속도를 가지며, 고 용융점 재료의 증착 및 multiple deposition이 가능함.
전자빔 증발기는 LED 광소자, 나노광소자 등의 박막전극 형성에 비교적 높은 용융점을 가지는
금속(ex. Pt, Pd 등)을 사용하므로, 전자빔 증발기는 광소자 제작에 필수적인 장비임.

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