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공동활용 연구장비

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유도 결합 플라즈마 반응성 이온 식각 장비

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Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching System

  • 모델명 SPIRAL 6C
  • 제조사 대동하이텍
  • 장비용도 계측
  • 장비구분 기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 식각장비

상세정보

구축일자 2021-03-11
납품업체 대동하이텍
위치 광주광역시 북구 첨단과기로 123 광주과학기술원　 A동 F1층 108호
구성및성능 ① 성능
. Process chamber base pressure : ≤ 7 x 10-7 Torr
(Within 4 Hours (After chamber vent))
. Process chamber pumping speed : ≤ 5 x 10-6 Torr
(Within 30 Min (After chamber vent))
. SiO2 Etching
Etch rate : ≥ 2,500Å/min
.Si3N4 Etching
Etch rate : ≥ 2,500Å/min

② 사양
. Process chamber & loadlock system
. Turbo pump & Dry or rotary pump
. Substrate size : 6 inch
.Process gas : Ar, O2, SF6, Cl2, BCl3,
장비안내 RIE 장비와 달리 유도 코일로부터 유도된 자기장에 의해 플라즈마를 형성함. 매우 낮은 압력에서도 고밀도의 플라즈마를 띄며 바이어스를 걸어준 상태에서 가속시켜 건식 식각을 진행함. 시료와 플라즈마 간의 거리와 바이어스의 크기를 조절하여 표면손상을 완화한 상태로 식각을 진행할 수 있음. 유도 결합 플라즈마 반응성 이온 식각 장비는 반도체 소자 공정의 반복적인 식각을 위해 필수적일 뿐만 아니라, 다양한 나노 구조 및 소자에도 빈번히 사용되는 장비로써, 유도 결합 플라즈마 반응성 이온 식각 장비는 광소자 제작에 필수적임.

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