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공동활용 연구장비

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마그네트론 스퍼터링 시스템

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Magnetron Sputtering System

  • 모델명 SPR-5003
  • 제조사 에스엔텍
  • 장비용도 기타
  • 장비구분 기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 스퍼터

상세정보

구축일자 2014-12-24
납품업체 에스엔텍
위치 광주광역시 북구 첨단과기로 123 (오룡동) 지스트대학 B동 광주과학기술원 지스트대학 B동 F1 114호(임시)
구성및성능 - 공정챔버 : 약 450mmDia x 400mm(H)
- 시편 크기 : 3인치 Wafer 1매
- 마그네트론 스퍼터링 소스 : 2인치 사이즈, 2개
- Downward Sputter Type
- 전원장치 : DC 3kWwatt & RF 1kWatt
- 가스 공급 장치 MFC 통한 제어

1. 공정챔버 1 세트 재질 : 스테인레스 스틸
구조 : 몸체 원통형, 상부 도어 반원형
개폐방식 : 공압 실린더 표면처리 : 전해연마 내벽 증착 방지용 쉴드 커버 1 세트 (스페어 1세트 추가 제공)
챔버 벽면 냉각 시스템 Gasket 타입의 실링 챔버

2. 진공 펌핑 장치 고진공 펌프 : 1 개, 배기용량 : 1,200 L/sec (N2 기준) 코로시브 타입
저진공 펌프 : 1 개, 배기용량 : 1,200 L/min (N2 기준) 펌블린 오일 타입, 고진공 차단 밸브 : 1 개
공정압력 조절 밸브 : 1 개
저진공 차단 밸브 : 2 개
진공배기 라인 (SUS Pipe & Bellows)

3. 진공측정계 (게이지) 컨벡션 게이지 : 2개, 콜드 캐소드 게이지 : 1개
바라트론 게이지 : 1개
게이지 콘트롤러 : 1개
기본 진공 측정 범위 : ATM ~ 10-9 Torr
공정 진공 측정 범위 : 10^-1 Torr ~ 10^-5 Torr

4. 원형 마그네트론 스퍼터링 소스 : 2 세트 마그네트론 스퍼터링 소스 2개
크기 : 2인치 사이즈
추가 가능 스페어 포트 : 1개
타겟 오염 방지 셔터 5. 가스공급장치 : 1 세트
가스유량조절기 (MFC) : 1 개, Ar 100 sccm 여유분포트 1개
가스 유량 조절 콘트롤러 : 1개
가스 공급 라인, 가스 공압 밸브 (1/4")

6. 전원장치
RF 전원 장치 Generator 1kW & Auto Matching Box
DC 전원 장치 DC Power 3kW & 노이즈 필터 포함

7. 프레임과 시스템 콘트롤러
챔버 안착 프레임 (분체도장) 이송바퀴 및 높이 조절 장치 부착
전장 제어 판넬
PLC 통한 자동화제어방식 \
인터락 : 장비 및 오퍼레이터 보호
유틸리티 압축공기: 6~7㎏f/㎝2
냉각수 : 3~4 kgf/㎝2
배기 : NW40\
전기사항 : 220V, 3phase, 50A

8. 공정보증 항목
시편 두께 평균 : < ±2% with 3인치 Wafer 기본 진공도 : < 5×10-7 Torr ATM에서 기본 진공도까지 1시간 이내 최고 진공도 : < 1×10-7 Torr ATM에서 최고 진공도까지 N2 Purge 이후 3시간 이내 ** 상기 공정 보증항목은 필수이며, 공정 항목을 충족하기 위한 Parts(Pump, Source Power, Gauge 등) 성능 증가는 공급자가 무상으로 진행 하여야 함
장비안내 본 장비는 스퍼터링 방식으로 진공 챔버 내에서 박막을 제조하는 장치이다. 진공 상태에서 아르곤 가스를 소량 주입하고 한편에는 재료 물질인 원반형 타겟, 반대쪽에는 기판을 두고 둘 사이에 전압을 인가하면 아르곤이 이온화되고 전압에 의해 가속되며 타겟에 부딪히게 된다. 이때 타겟의 재료가 튀어나와서 반대쪽에 있는 기판에 붙어서 박막을 형성하게 된다. 본 장비는 대학생들에게 진공의 기초, 플라즈마의 원리, 전자재료 샘플 제작, 전자소자 제작 공정을 학습하기 위한 필수 장비이다. 박막 공정의 기본 원리를 학습하고, 본 장비를 이용하여 원하는 박막 재료, 나노 재료, 전자 소자 등을 제작하는 공정을 직접 실습하고, 제작 공정을 익히고 분석 능력을 배양하고자 한다.

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