본 발명은 원자층 증착 기법(atomic layer deposition, ALD)을 이용하여 질소가 정량적으로 도핑 되도록 하여 광활성 정도가 제어된 티타늄산화물을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 기판을 원자층 증착(Atomic Layer Deposition; ALD) 반응기 내에 위치시키는 단계; 티타늄 전구체를 상기 원자층 증착 반응기 내로 공급하여 상기 기판 표면에 흡착시키는 제1단계; 상기 제1단계에서 흡착되지 않은 티타늄 전구체를 상기 원자층 증착 반응기에서 비활성 가스를 사용하여 퍼징하는 제2단계; 암모니아를 상기 원자층 증착 반응기 내로 공급하여 상기 기판 표면에 흡착된 티타늄 전구체와 질화반응을 일으켜 타타늄질화물을 형성하는 제3단계; 상기 제 3단계의 질화반응을 통해 생성된 반응 부산물과 미반응 암모니아를 비활성 가스를 사용하여 상기 원자층 증착 반응기로부터 퍼징시키는 제4단계; 산화제를 상기 원자층 증착 반응기 내로 공급하여 상기 티타늄질화물을 산화시켜 질소가 도핑된 티타늄 산화물을 제조하는 제5단계; 및 미반응 산화제와 반응 부산물을 비활성 가스를 사용하여 상기 원자층 증착 반응기로부터 퍼징시키는 제6단계;를 포함하고, 필요에 따라 상기 제1단계 내지 제6단계를 적어도 1회 이상 순서대로 반복할 수 있으며, 다양한 농도 범위로 질소가 도핑된 티타늄산화물을 제공함으로써 광촉매, 태...(이하생략)