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질화티타늄을 이용하여 실리콘 기판 상에 SrTiO3/BaTiO3 인공 초격자를 제조하는 방법

구분 특허/실용/디자인/상표
특허등록일자 2007-07-10
취득구분 등록
기술분류
지식재산유형 국내출원
등록번호(특허) 100740318
출원(등록)번호 10-2004-0046188
출원형태
발명자수 5
DOI 값
주요내용
특허 이미지

SrTiO 3 /BaTiO 3 인공초격자의 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 펄스레이저증착(PLD)장치의 챔버 내에 실리콘(Si) 기판을 제공하는 단계, 상기 실리콘 기판상에 질화티타늄(TiN) 버퍼층을 증착하는 단계 및 상기 질화티타늄 버퍼층이 증착된 실리콘 기판상에 SrTiO 3 박막과 BaTiO 3 박막을 교대로 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 질화티타늄 버퍼층을 이용함으로써 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자를 실리콘 기판 상에 에피성장할 수 있는 이점을 제공한다. 또한, 결정성이 우수할 뿐만 아니라 유전상수를 증가시켜 전기적 특성이 우수한 SrTiO 3 /BaTiO 3 인공초격자를 제조할 수 있는 이점을 제공한다. 펄스레이저증착(PLD)장치, SrTiO3/BaTiO3 인공초격자, 질화티타늄(TiN) 버퍼층

발명자 정보

이름 소속
김보람 전남대학교 무기재료공학과
김진혁 전남대학교 신소재공학부