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산화아연 나노 구조체가 형성된 발광 다이오드
구분
특허/실용/디자인/상표
특허등록일자 2012-11-14
취득구분 등록
기술분류 재료
지식재산유형 국내출원
등록번호(특허) 10-1203324
출원(등록)번호 1020100128502
출원형태
발명자수 2
DOI 값
주요내용
산화아연 재질의 나노 광 결정이 형성된 발광 다이오드가 개시된다. 나노 광 결정을 형성하기 위해 전류 확산층 또는 발광 구조체 상부에는 씨앗층이 형성된다. 특히, 발광 구조체 상부에 형성되는 씨앗층은 전류 확산층의 기능을 동시에 수행한다. 이를 위해 씨앗층은 알루미늄이 도핑된 산화아연인 AZO로 구성된다. 나노 광 결정은 씨앗층 상부에 홀로그램 리소그래피를 통해 형성된 나노 패턴에 의해 소정의 주기로 형성된다.
발명자 정보
| 이름 | 소속 |
|---|---|
| 김진혁 | 전남대학교 신소재공학부 |