가스센서 및 이의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 의한 가스센서는 p형 박막형 화합물 반도체층을 채용하여 화학적으로 안정하고, 신속하게 검출 대상 가스를 검지할 수 있으며, p형 박막형 화합물 반도체층의 치밀한 특성과 n형 다공성 화합물 반도체층의 다공질 특성으로 p-n 접합 계면에서 가스 분자의 화학 반응이 용이하게 일어날 수 있고, 반응 시간 및 회복 시간이 감소될 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 가스센서의 제조방법은 기판 상에 p형 화합물 반도체용 전구체 박막을 스퍼터링하여 증착하고, 전구체 박막을 열처리하는 단계를 통해 p형 박막형 화합물 반도체층을 형성하며, CBD(chemical bath deposition)법을 이용하여 p형 박막형 화합물 반도체층 상에 n형 금속 산화물 나노로드를 성장시키는 단계를 통해 n형 다공성 화합물 반도체층을 형성하여 간단하고 용이하게 우수한 특성을 갖는 가스센서를 제조할 수 있다.