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씨아이지에스 박막의 제조방법
구분
특허/실용/디자인/상표
특허등록일자 2015-06-22
취득구분 등록
기술분류 재료
지식재산유형 국내출원
등록번호(특허) 10-1532139
출원(등록)번호 10-2013-0109655
출원형태
발명자수 2
DOI 값
주요내용
박막 태양전지를 구성하는 CIGS 박막의 제조방법이 개시된다. 하이 레벨과 로우 레벨이 반복적으로 인가되는 펄스 열 형태의 전압의 인가와 열처리를 통해 CIGS 박막은 형성될 수 있다. 하이 레벨을 가진 전압의 인가에 따라 Se 이온 또는 Cu 이온이 전착되고, 로우 레벨을 가지는 전압의 인가에 따라 Ga 이온 및 In 이온이 전착된다. 또한, 작업 전극에 인가되는 전압은 3단계의 레벨을 가진 스텝 펄스의 형태로 인가될 수 있다. 이를 통해 빠른 공정 시간 내에 CIGS 박막의 형성이 이루어질 수 있다.
발명자 정보
| 이름 | 소속 |
|---|---|
| 김진혁 | 전남대학교 신소재공학부 |