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양극산화 템플릿을 이용한 3차원 구조의 광흡수층을 가지는 태양전지 제조 방법

구분 특허/실용/디자인/상표
특허등록일자 2015-06-22
취득구분 등록
기술분류 재료
지식재산유형 국내출원
등록번호(특허) 10-1562435
출원(등록)번호 10-2013-0126536
출원형태
발명자수 2
DOI 값
주요내용
특허 이미지

양극산화 플레이트를 이용하여 제조되는 3차원 구조의 광흡수층을 포함하는 태양전지 제조방법이 개시된다. 하부구조의 후면전극층 상에 알루미늄을 적층한 후 양극산화를 통해 다수개의 나노홀 또는 다수개의 나노기둥을 가지는 템플릿을 형성한다. 템플릿의 다수개의 나노홀 또는 다수개의 나노기둥에 CZTS 전구체물질을 충전시킨 후 템플릿을 제거하여 전구체박막을 형성한다. 전구체박막을 황화 또는 셀렌화 분위기에서 열처리하여 3차원 구조의 광흡수층을 형성한다. 나아가, 열처리를 수행하기 전에 양극산화 중에 후면전극층 상에 형성된 산화물을 제거한 후 상술한 열처리를 수행할 수 있다.

발명자 정보

이름 소속
김진혁 전남대학교 신소재공학부