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광흡수층 내 결함 제어를 위한 CZTS계 박막 태양전지의 광흡수층 제조방법

구분 특허/실용/디자인/상표
특허등록일자 2020-10-13
취득구분 등록
기술분류 재료
지식재산유형 국내출원
등록번호(특허) 10-2167637
출원(등록)번호 10-2019-0166028
출원형태
발명자수 1
DOI 값
주요내용
특허 이미지

본 발명은 광흡수층 내 결함 제어를 위한 CZTS계 박막 태양전지의 광흡수층 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 최하부 Mo 박막의 상부에 Zn/Sn/Cu, Zn/Sn/CuSe, Zn/SnSe/Cu 또는 Zn/SnSe/CuSe 박막이 순차적으로 증착된 전구체를 준비하는 단계; 상기 전구체를 S, Se 또는 S와 Se 혼합 소스와 함께 진공상태에서 일정온도 및 내부압력으로 1차 열처리 하는 단계; 및 1차 열처리된 상기 전구체를 일정온도 및 내부압력으로 2차 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

발명자 정보

이름 소속
김진혁 전남대학교 신소재공학부