본 발명은 하드 마스크로 사용되는 질화막과 그 하부에 ILD(Inter Layer Dielectric)막으로 사용된 산화막 간의 응력차에 의해 발생하는 리프팅 현상을 방지하여 반도체 소자의 특성을 개선시킬 수 있는 반도체 소자의 컨택홀 형성방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 하지층이 형성된 기판을 제공하는 단계와, 상기 하지층을 덮도록 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막 상에 SRON막으로 하드 마스크를 형성하는 단계와, 상기 하드 마스크 상부에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 이용한 제1 식각공정을 통해 상기 하드 마스크를 식각하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 이용한 제2 식각공정을 실시하여 상기 절연막을 식각하여 상기 하지층의 일부가 노출되는 컨택홀을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 컨택홀 형성방법을 제공한다. 반도체 소자, 컨택홀, 하드 마스크, SiON, SRON