본 발명은 유동층 반응기, 교반층 반응기 또는 고형층 반응기내에서 250°내지 1100℃의 온도 및 0.5 내지 30 atm의 절대 압력에서 실리콘을 HCl과 반응시켜 트리클로로실란을 제조하는 방법에 관한 것으로, 반응기에 공급되는 실리콘은 30 내지 10,000 ppm의 크롬을 함유한다. 본 발명은 또한 실리콘을 HCl 가스와 반응시켜 트리클로로실란을 제조하는데 사용되는 실리콘에 관한 것으로, 30 내지 10,000 ppm 크롬을 함유하고, 일반적인 불순물을 제외한 잔부는 실리콘이다.