횡형 박막 실리콘 온 절연체(SOI) 디바이스는 반도체 기판(22), 상기 반도체 기판 상의 매립 절연층(24), 상기 매립 절연층 상의 SOI 층(26) 내에 위치하며 제 1 도전형과 반대되는 제 2 도전형의 바디 영역(30) 내에 형성된 제 1 도전형의 소스 영역(28)을 갖는 횡형 트랜지스터 디바이스를 포함한다. 제 1 도전형의 횡형 드리프트 영역(32)이 바디 영역 근처에 제공되어 약 도핑된 드레인 영역을 형성하고, 제 1 도전형의 드레인 컨택트 영역(34)은 드리프트 영역에 의해 바디 영역으로부터 분리되어 횡방향 위치하도록 제공된다. 항복 전압을 높이기 위해 그리고/또는 "온" 저항을 줄이기 위해 , 횡형 드리프트 영역에는 역 도핑 프로파일을 갖는 적어도 하나의 부분이 제공된다.