본 발명은 기판의 표면을 선택적으로 패시베이션시키는 방법으로서, 기판의 표면이 적어도, 실리콘 니트라이드를 포함하는 제1 표면 및 적어도, 실리콘 니트라이드 이외의 물질을 포함하는 제2 표면을 포함하는, 방법에 관한 것이다. 본 방법은 표면을 적어도 하나의 오가노이소시아네이트에 노출시키는 단계를 포함하며, 여기서, 오가노이소시아네이트는 실리콘 니트라이드와 선택적으로 반응하여 제1 표면을 패시베이션시키고, 이에 의해 제2 표면을 실질적으로 미반응 상태로 남겨 둔다.