본 발명은 카드뮴이 도입된 진틀화합물, 상기 진틀화합물의 제조방법 및 상기 진틀화합물을 포함하는 열전재료용 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 종래의 삼성분계 화합물인 BaZn 2 Sb 2 에 카드뮴(cadmium, Cd)을 도입하고 최적화된 용융 Pb-flux 방법을 이용하여 새로운 사성분계 진틀화합물을 성공적으로 합성하였다. 특히, 본 발명을 통해 얻어진 네 가지 사성분계 진틀화합물 중 세가지(BaZn 1.90(1) Cd 0.10 Sb 2 , BaZn 1.75(2) Cd 0.25 Sb 2 , BaZn 1.62(2) Cd 0.38 Sb 2 )는 BaCu 2 S 2 -유형 신규 화합물로, BaCu 2 S 2 -유형 구조를 가지는 모체에 카드뮴의 도입을 시도한 사례이고 나머지 한가지(BaZn 0.16(2) Cd 1.84 Sb 2 )는 CaAl 2 Si 2 -유형 신규 화합물로, CaAl 2 Si 2 -유형 구조를 가지는 모체에 아연의 도입을 시도한 사례이다. 전이금속인 아연에 크기가 다른 원소로 카드뮴을 치환하여 이를 통해 더욱 낮은 열전도도를 이끌어낼 수 있으며, 이를 통해 기존에 알려진 삼성분 화합물 BaZn 2 Sb 2 보다 높은 열전 성능을 가진다. 특히 해당 화합물은 진틀계열 열전 물질로, 자동차, 항공우주 ...(이하생략)