본 발명의 강유전체층(104)은 하부전극층(103)과 상부전극(105) 사이에 끼워진다. 소정의 전압(DC 또는 펄스)이 하부전극층(103)과 상부전극(105) 사이에 인가되어 강유전체층(104)의 저항값을 변경시켜 안정적인 높은 저항모드와 낮은 저항모드로 전환시키는 경우, 메모리 동작이 얻어진다. 소정의 전압이 상부전극(105)에 인가되는 경우 전류값을 읽음으로써 읽기가 쉽게 행해질 수 있다. 쌍안정 저항값 취득장치, 금속 산화물 박막, 스퍼터링