본 발명은 공면 미세유체 채널을 이용한 액체금속의 표면 산화막 제거방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 공면 미세유체 채널을 이용한 액체금속의 표면 산화막 제거방법은, 실리콘 웨이퍼 상에 포토 레지스트(PR)를 이용하여 미세유체 채널 주물(mold)을 제작한 후 그 위에 폴리다이메틸실록세인(PDMS) 용액을 도포하는 단계, 상기 PDMS 용액의 도포가 완료되면 냉각 및 응고 과정을 거친 후 상기 PDMS 층을 상기 미세유체 채널 주물과 분리시키는 단계, 상기 분리된 PDMS 층 하부에 산소 플라즈마를 통해 유리판을 접착하여 공면 미세유체 채널을 형성하는 단계 및 상기 미세유체 채널의 메인 채널로 갈리스탄을 주입한 후 보조 채널로 염산 용액을 주입하여 메인 채널과 보조 채널 사이의 관벽으로 염산 증기가 투과되어 갈리스탄 산화막이 제거되도록 하는 단계를 포함한 방법을 제공함으로서, 액체금속인 수은을 대체하는 갈라스탄의 표면 산화막 제거가 용이하여 갈리스탄의 응용 범위를 확대시킬 수 있다는 효과가 얻어진다.