본 발명은 실리콘 나노 와이어(반도체 나노와이어)를 압저항체로 이용한 폴리머 외팔보 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 피란하 클리닝(Piranha Cleaning), RCA-1 클리닝 및 RCA-2 클리닝을 수행하여 SOI 웨이퍼 표면에 잔류하는 잔류물을 제거하는 (a) 단계; SOI 웨이퍼 표면에 AZ계열의 AZ5214 감광제를 통해 포토리소그래피 공정을 수행하여 실리콘 나노 와이어 패턴을 형성하는 (b) 단계; 마스크 물질로 PR(PhotoResist)을 이용함과 아울러 RIE(Reactive ion etching)을 통해 실리콘 나노 와이어 패턴을 실리콘 나노 와이어로 제작하는 (c) 단계; E-beam evaporator를 이용하여 Au를 100㎚로 증착시키고, lift off 공정을 이용하여 실리콘 나노 와이어 상부에 금속층을 패터닝함과 아울러 AZ5214를 감광제로 이용하여 금속 배선 패턴을 제작하며, 아세톤 및 Ultrasonic을 이용하여 AZ5214를 제거하는 (d) 단계; 금속 배선 상부에 두께가 5㎛가 되도록 폴리머 재질의 감광막(SU-8 2002)을 통해 외팔보 패턴을 형성하는 (e) 단계; 외팔보 패턴 상부에 두께가 200㎛가 되도록 폴리머 재질의 감광막(SU-8 2050)을 통해 외팔보 바디 패턴을 형성하는 (f) 단계; 감광막(SU-8)의 열적 스트레스를 최소화하기 위해 ...(이하생략)