본 발명은 확산물질층, 반도체 확산층 및 반도체 확산배리어층을 구비하는 화합물반도체 구조물에 관한 것으로, 반도체 확산배리어층은 반도체 확산층과 동일한 화합물 반도체 구성 물질을 포함하고 확산속도가 서로 다르게 구성되어 상기 확산물질층으로부터 확산되는 원소의 확산속도가 상기 반도체 확산배리어층에서 감소되도록 하는 화합물반도체 구조물을 제공한다. 확산배리어층, 확산물질층, 화합물반도체