본 발명은 n-GaN계열의 제1 반도체영역과 상기 제1 반도체영역과 다른 도전 유형을 갖는 GaN계열의 제2반도체 영역을 포함하는 반도체 구조물을 양극으로 하고 전해액을 음극으로 하여 전해 에칭을 수행하여, 제1 반도체영역의 에칭 속도가 제2 반도체 영역의 에칭 속도에 비해 큰 반도체층 분리방법을 제공한다. GaN, 기판 분리, 전해액, 전해에칭