본 발명은 n-GaN계열의 제1 반도체영역과 상기 제1 반도체영역과 다른 도핑 농도를 갖는 n-GaN계열의 제2반도체 영역을 포함하는 반도체 구조물을 양극으로 하고 전해액을 음극으로 하여 전해 에칭을 수행하여, 제1 반도체영역과 제2 반도체 영역의 에칭 속도가 서로 다르게 하여 반도체 영역의 선택적 식각방법 및 반도체소자를 기판으로부터 분리하는 방법을 제공한다.