본 발명은 고성능 저전력 전계효과 트랜지스터 소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명이 일실시 예에 따른 고성능 저전력 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법은 준비된 기판상에 유전체를 증착 및 패터닝하여 유전층을 형성하는 단계; 상기 유전층의 상부에 u-GaN, n-GaN 및 u-GaN이 순차적으로 증착된 GaN 구조층을 형성하는 단계; 상기 GaN 구조층을 식각하여 선택된 칩 형상으로 패터닝하는 단계; 상기 유전층을 식각하여 제거하는 단계; 상기 유전층의 상부 u-GaN를 식각하여 n-GaN를 노출시키는 단계; 상기 n-GaN를 식각하여 박막의 GaN층을 형성하는 단계; 및 상기 GaN층에 게이트 유전체 증착 및 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.