본 발명은 반도체 나노와이어 전사방법에 있어서, 기판 상에 반도체 나노와이어들을 형성하는 단계: 상기 반도체 나노와이어들 상부에 반도체 박막을 형성하되, 상기 반도체 박막에 불순물을 주입하여 상기 반도체 나노와이어들과 상기 기판 사이에 스트레스를 발생시키는 단계; 상기 반도체 박막을 포함하는 소자 구조물을 마련하는 단계; 및 상기 반도체 나노와이어들과 상기 기판 사이에 발생된 스트레스를 이용하여 상기 기판와 상기 반도체 나노와이어들을 기계적으로 분리하는 단계를 포함하는 반도체 나노와이어 전사방법을 제공한다.