기판의 분리 방법을 제공한다. 기판의 분리 방법은 제1 기판 상에 n-GaN 계열의 분리층을 형성하는 단계, 분리층 상에 GaN 계열을 포함하는 기능성 막질을 형성하는 단계, 제1 기판을 양극으로 하고 전해액을 음극으로 하여 전해 에칭을 수행하여 상기 분리층 내에 나노 공극을 형성하는 단계, 기능성 막질을 제2 기판에 부착하는 단계 및 분리층을 습식 에칭하여 나노 공극의 크기를 성장시켜 주위의 나노 공극과 결합됨으로써 제1 기판과 기능성 막질을 분리하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 수직형 발광 다이오드 제작에 필수적인 리프트-오프 공정 중에서 보다 효율적인 화학적 리프트-오프 공정을 제공할 수 있고, 고가의 장비가 필요없이 웨이퍼 단위의 공정을 수행할 수 있다.