본 발명은 나노포러스 구조를 이용한 반도체소자 분리방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판과 반도체소자를 분리하는 방법에 있어서, 표면 금속층이 없는 상태에서 전기화학에칭 공정을 수행하고, 그 후에 표면 금속층을 증착한 후, 웨이퍼 본딩과 리프트오프 공정을 통해 GaN 박막을 금속 웨이퍼로 전사하는 나노포러스 구조를 이용한 반도체소자 분리방법에 관한 것이다. 이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 이러한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은, 기판 상에 제1 n형 질화물층을 성장하는 단계; 상기 제1 n형 질화물층 상에 유전층을 성장하는 단계; 전해에칭을 통해 상기 제1 n형 질화물층 내부에 나노포러스구조를 형성시키는 단계; 상기 제1 n형 질화물층 상에 제2 n형 질화물층을 재성장시켜, 상기 유전층을 포함하는 제2 n형 질화물층을 형성시키는 단계; 상기 제2 n형 질화물층 상에 멀티양자우물구조 및 p형 질화물층을 성장하고, 통전형 기판과 접합하는 단계; 및 HF 에칭을 통해 상기 유전층을 선택적으로 에칭하여 기판으로부터 반도체 소자를 분리하는 단계; 를 포함한다.