나노포러스 클래딩층을 구비한 레이저 다이오드 및 그 제조방법이 제공된다. 활성층의 상부 및 하부에 적어도 어느 한쪽에 n-GaN층의 전기화학적 식각에 의해 형성된 포어들(pores)을 포함하는 나노포러스 클래딩층을 형성한다. 상기 나노포러스 클래딩층의 n-GaN층의 전기화학적 식각에 의해 형성된 포어들을 가지는 나노포러스 GaN층은 산화공정을 통해 절연막으로 개질될 수 있다. 다수의 포어들을 가진 나노포러스 GaN층 또는 나노포러스 GaN층이 개질된 절연막을 통해 결정성의 저하 없이 광속박을 향상시킬 수 있으며, 이에 레이저 다이오드의 단일측면모드 동작유지가 용이해질 수 있다. 제1 전극의 면적을 증가시킬 수 있고, 저항이 큰 AlGaN이 제거되어 소자저항을 감소시킬 수 있다. 또한, 나노포러스 클래딩층의 나노포러스 GaN층이 절연막으로 형성되면서 광모드 영역과 전류주입 영역을 일치시킬 수 있고, 누설 전류의 감소로 레이저의 동작전류를 감소시킬 수 있다.