본 명세서는 종래 전사 기술에 비해 경제적으로 부담이 적고, 공정이 쉬우며 높은 생산성을 가질 수 있는 반도체 기판을 개시한다. 본 명세서에 따른 반도체 기판은, 하부 기판층; 도핑되지않은 GaN으로 상기 하부 기판층 위에 형성된 버퍼층; 제1 농도로 도핑된 GaN으로 상기 버퍼층 위에 형성된 다수의 미세 기둥으로 형성된 제1 GaN층; 제2 농도로 도핑된 GaN으로 상기 제1 GaN층 위에 형성된 제2 GaN층; 및 상기 제2 GaN층 위에 형성된 소자 구조층;을 포함할 수 있다.