본 발명의 노아(NOR) 플래시 메모리소자의 제조방법은, 소스 및 드레인을 포함하는 소정의 하부 구조가 형성된 반도체기판 상에, 일정 간격으로 평행하게 배열된 다수의 직선의 게이트를 형성하는 단계와, 게이트의 측벽에 절연막 스페이서를 형성하는 단계와, 스페이서가 형성된 반도체기판 상에 질화막을 형성하는 단계와, 질화막의 표면을 산화시키는 단계와, 질화막의 표면이 산화된 결과물 상에 층간절연막을 형성하는 단계, 및 층간절연막과 표면이 산화된 질화막을 식각하여 소스 또는 드레인을 노출하는 컨택홀을 형성하는 단계를 포함한다. 자기정렬 컨택, NOR 플래시 셀, 컨택 마스크, 셀 사이즈