본 발명의 일 측면에 따른 비휘발성 반도체 메모리는 복수의 셀 유닛을 포함하는 메모리 셀 어레이(12A 및 12B)와, 메모리 셀 어레이(12A 및 12B)의 제1 방향에서의 한 단부 상에 배치되는 전력 공급 패드(19)와, 메모리 셀 어레이(12A 및 12B)의 제1 방향에 배치되는 페이지 버퍼(13A-u, 13B-u)를 포함한다. 비휘발성 반도체 메모리는 메모리 셀 어레이(12A 및 12B) 상에 배치되고 제1 방향으로 연장하는 복수의 비트 라인(BL(M1))과, 메모리 셀 어레이 상의 복수의 비트 라인(BL(M1)) 상에 배치되어 전력 공급 패드(19) 및 페이지 버퍼(13A-u 및 13B-u)에 접속하는 제1 전력 공급 라인(Vss(M2)) 또한 포함한다. 비휘발성 반도체 메모리, 메모리 셀 어레이, 셀 유닛, 전력 공급 패드, 페이지 버퍼, 비트 라인, 전력 공급 라인