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Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same
구분
특허/실용/디자인/상표
특허등록일자 2005-05-10
취득구분 등록
기술분류
지식재산유형 개별국출원
등록번호(특허) US 6,891,241
출원(등록)번호 10/950,582
출원형태
발명자수 1
DOI 값
주요내용
본 발명은 질 유래 락토바실러스 람노서스 CBT LR6-feminine (Lactobacillus rhamnosus CBT LR6-feminine) 균주에 관한 것이다. 본 발명의 락토바실러스 람노서스 CBT LR6-feminine 균주는 젖산(lactic acid) 생성능 및 과산화수소 생성능이 우수하며, 질염 원인균뿐만 아니라, 요로감염 원인균에 대한 항균 활성을 가지며, 우수한 질 내 접착능, 내산성 및 내담즙성을 가지는 것으로 실험적으로 입증 및 확인하였으므로, 여성 건강과 관련된 질염의 예방, 완화 또는 치료에 효과적으로 사용될 수 있다.
발명자 정보
| 이름 | 소속 |
|---|---|
| 이준기 | 전남대학교 신소재공학부 |