본원은, 전기화학적 정전위법(electrochemical potentiostatic method)을 이용하여 질화갈륨계 화합물 반도체에 함유된 p-형 도판트를 활성화시킴으로써 p-형 질화갈륨계 화합물 반도체 층의 정공 농도를 증가시키고 전기적 특성을 개선할 수 있는 방법을 제공하고 이러한 방법을 이용하여 제조되는 질화갈륨계 화합물 반도체 디바이스 및 발광 디바이스를 제공하고자 한다.