p형 반도체층의 사용이 배제된 자외선 발광 소자가 개시된다. 자외선을 생성하기 위하여 전자빔 생성부가 구비되며, 전자빔 생성부에서 형성된 전자빔은 자외선 생성부의 활성층으로 유도된다. 활성층에서 전자빔은 충돌되고, 충돌에 의해 생성된 전자-정공 쌍은 활성층의 장벽층에 의해 우물층에 구속된다. 구속된 전자와 정공은 재결합을 통해 자외선을 형성한다.