하이드라이드 기상 에피택시(HVPE)를 이용하여, m-면 사파이어 기판과 같은 적합한 기판 상에서 III-질화물 물질을 성장시키는, (11-22) 또는 (10-13) 갈륨 질화물(GaN) 에피택셜 층과 같은 반극성 III-질화물 물질의 성장 방법. 본 방법은 암모니아 및 아르곤 분위기 하, 상승 온도에서, 기판의 인-시츄 전처리 단계, 어닐링된 기판 상에서 알루미늄 질화물(AlN) 또는 알루미늄-갈륨 질화물(AlGaN)과 같은 중간층의 성장 단계, 및 HVPE를 이용하는 중간층 상에서 비극성 m-면 III-질화물 에피택셜 층의 성장 단계를 포함한다.