본 발명은 화학식 1로 표시되며 파이로클로르(pyrochlore)상을 갖는 비스무트 티타늄 실리콘 산화물, 비스무트 티타늄 실리콘 산화물 박막, 그 제조방법 및 상기 비스무트 티타늄 실리콘 산화물 박막을 채용한 반도체 장치의 커패시터, 트랜지스터 및 이들을 채용한 전자 소자를 제공한다. 본 발명의 비스무트 티타늄 실리콘 산화물은 고유전율 특성을 갖고 있는 물질로서, 열적, 화학적 안정성이 우수하다. 이러한 비스무트 티타늄 실리콘 산화물로 된 박막은, 반도체 장치의 커패시터를 구성하는 유전체막과 트랜지스터의 게이트 절연막으로서 유용하게 사용할 수 있다. 상술한 비스무트 티타늄 실리콘 산화물 박막을 이용한 본 발명에 따른 커패시터와 트랜지스터를 채용하면 전기적 특성이 우수한 DRAM 등의 전자 소자를 제조할 수 있다. Bi 2 (Ti 2-x Si x ) O 7-Y 상기식중, x는 0.8 내지 1.3의 수이고, y는 -1 내지 1의 수이다.