Loading...
자기조립단분자막을 이용한 반도체 박막 및 그 제조방법
구분
특허/실용/디자인/상표
특허등록일자 2006-12-19
취득구분 등록
기술분류
지식재산유형 국내출원
등록번호(특허) 10-0661695
출원(등록)번호 10-2005-0111745
출원형태
발명자수 1
DOI 값
주요내용
본 발명은 주사슬의 알킬기가 1~12개 범위인 실라잔계 물질을 이용하여 자기조립단분자막(self-assembled monolayer)을 형성하여 표면개질시킨 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 효과 트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 주사슬의 알킬기가 상이한 다양한 실라잔계 물질을 이용하여 절연층을 표면개질시켜 자기조립단분자막을 형성시킨 유기 전계 효과 트랜지스터를 제조할 수 있다. 또한, 본 발명에서는 절연층의 표면개질시 주사슬의 알킬기가 상이한 실라잔계 물질을 이용하여 2-스텝 자기조립단분자막 처리를 함으로써 tradeoff 관계에 있는 이동도(mobility)와 바이어스 안정성(bias stability)을 모두 향상시킬 수 있는 효과를 가진다.
발명자 정보
| 이름 | 소속 |
|---|---|
| 정현담 | 전남대학교 화학과 |