본 발명은 실세스퀴옥산(silsesquioxane)계 수지 조성물, 이를 이용한 유전체의 제조방법 및 상기 유전체를 게이트 절연막으로 채택하는 전자소자의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 실세스퀴옥산계 수지조성물은 서로 다른 두 종류의 유기 실란화합물을 적절한 혼합비로 혼합하여 제조함으로써 유기 박막 트랜지스터 등의 전자 소자의 게이트 절연막에 적용 가능함과 동시에 전하 트랩 특성을 가진다. 본 발명에 따른 실세스퀴옥산계 수지조성물을 사용하여 형성되는 유전체는 적절한 전기장 하에서 전하(charge)를 트랩(trap)하게 되고, 이로부터 외부로부터 전기장을 가하지 않고도, 트랩 전하(trap charge)에 의해서 만들어지는 전기장을 이용하여 인접한 반도체(semiconductor) 계면에서의 밴드 구조(band structure)를 변화시켜 반도체(semiconductor) 계면에서의 저항을 변화시킬 수 있어 유기 박막 트랜지스터의 기능성 게이트 절연막으로 이용될 수 있다. 이와 같은 유기 박막 트랜지스터는 비휘발성 정보 저장용 또는 회로 튜닝의 용도 등 기능성 전자 소자로의 활용성이 기대된다. 실세스퀴옥산, OTFT, 유전체, 기능성 게이트 절연막