본 발명은 산화된 실리콘 양자점을 이용하여 실리콘 양자점 박막을 제조할 수 있는 방법에 관한 것으로, 자세하게는 부분적으로 산화된 실리콘 양자점을 이용하여 기재 상부에 도포하여 열처리함으로써 간단한 공정으로 실리콘 양자점 박막을 제조할 수 있는 방법을 제공한다. 본 발명의 산화된 실리콘 양자점 박막은 열처리 온도가 증가할수록 산화 면적이 증가하고, 굴절률은 열처리 온도 30℃일 때 1.61인 반면에, 800℃일 때 1.45인 것이 특징이다. 광학 밴드 갭 값이 5.49 내지 5.90 eV 일 때, 실리콘 상의 직경은 0.82 내지 0.74 nm이고, 산화된 실리콘 양자점 박막 내에 분산된 실리콘 상은 열처리함으로써 평균 14개의 실리콘 원자가 실리콘 분자 클러스터를 형성하는 독특한 특징이 있다. 본 발명의 실리콘 양자점 박막은 실리콘 접합전지, 실리콘 레이저 또는 발광소자 등으로 응용함으로써 전기적, 광학적 특성이 매우 우수한 전자 소자로 이용할 수 있다.