채널층으로 무기 반도체층을 이용하는 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법이 개시된다. 채널층은 패턴화되며, 패턴화를 위해 무기 감광층이 코팅된다. 무기 감광층은 극자외선 또는 전자빔의 조사에 의해 패턴화된 무기 감광층으로 형성된다. 무기 감광층 패턴에 대한 열처리가 수행되면, 무기 감광층 패턴은 패턴화된 무기 반도체층으로 개질된다. 따라서, 채널층의 형성을 위한 별도의 포토레지스트가 요구되지 않으며, 형성된 포토레지스트 패턴을 통한 식각 공정이 요구되지 않으므로 공정의 효율성은 향상된다.