본 발명은 란탄 실리케이트 비정상 입성장을 이용한 c-축 배향성 막 및 단결정 성장 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 200도 내지 300도의 중저온에서 높은 전도도를 보이는 아파타이트 구조의 란탄 실리케이트를 제조하는 방법에 관한 것이다. 란탄 실리케이트, c-축 방향, 중저온, 전도도, 아파타이트, 비정상 입성장