본 발명은 고체전해질 기반 혼합전위차형 암모니아센서 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 상기 고체전해질 기반 혼합전위차형 암모니아센서의 제조방법은 고체전해질 기판을 준비하는 단계; 상기 고체전해질 기판의 일면에 암모니아를 선택적으로 감지하기 위한 감지전극을 형성하는 단계; 및 상기 고체전해질 기판의 타면에 기준전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 감지전극은 스피넬 구조를 갖는 CFO(CuFe 2 O 4 )-MO X (여기서, M=Sn, Ni 또는 Zn)인 것을 특징으로 한다.