본 발명은 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 타이타늄 임플란트의 표면을 양극산화공정을 이용하여 TiO 2 나노튜브를 형성하고 처리함으로써 스트렙토코쿠스 무탄스(Streptococcus mutans)와 포르피로모나스 진지발리스(Porphyromonas gingivalis) 세균의 부착을 억제함과 함께 조골세포의 부착능을 향상시킬 수 있는 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 제조방법에 의하면 타이타늄 임플란트의 표면을 양극산화공정을 이용하여 TiO 2 나노튜브를 형성하고 열처리 및/또는 상온 대기압 플라즈마를 이용하여 처리함으로써 스트렙토코쿠스 무탄스(Streptococcus mutans) 및/또는 포르피로모나스 진지발리스(Porphyromonas gingivalis) 세균의 부착을 억제함과 함께 조골세포의 부착능을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.