본 발명은 수직형 발광소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 사파이어 기판 제거시 높은 레이저 에너지의 영향으로 소자에 발생할 수 있는 결함을 줄이기 위해, 단위 소자 크기의 돌출부가 다수 개 상호 이격되어 형성되어 있는 기판 상부 또는 버퍼층(Buffer Layer) 상부에, 발광소자 에피층을 온도, 압력 등을 조절하여 측면 성장속도를 높이는 조건으로 성장시켜, 소자 사이에 보이드(Void)가 형성되도록 하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 소자 결함을 줄이기 위한 종래의 아이솔레이션(Isolation) 식각 공정으로 인해 파생되는 문제점을 근본적으로 해결할 수 있고, 전위(Dislocation)등의 결함을 보이드(Void) 상부의 소자 모서리(Edge)에 해당하는 영역으로 모아서, 소자영역의 에피층 결정질을 보다 향상시킬 수 있으며, 공정을 단순화시킬 수 있는 효과가 있다. 수직형, 발광소자, 질화갈륨, 패터닝, 에피층, 돌출부